ТЕРМИЧЕСКАЯ И РАДИАЦИОННАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ИК-ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cd_xPb₁__xS

Изучены термическая и радиационная устойчивость ИК-детекторов на основе фоточувствительных пленок твердых растворов в системе PbS-CdS, полученных химическим осаждением на си-талловую подложку. Установлено, что синтез материалов на основе соединений PbS и CdS в форме твердых растворов замещения позволяет варьировать спектральную характеристику в широкой области спектра за счет изменения состава и получать достаточно богатые по замещающему компоненту составы. Из спектральных характеристик пленок Cd_xPb_1- £ видно, что при увеличении содержания CdS в твердом растворе до 17 мол. % "красная" граница фотоответа сдвигается в коротковолновую область менее чем на 1,6 мкм, а максимум фоточувствительности - с 2,5 до 1,2 мкм. Приведены фотоэлектрические параметры разработанных фотодетекторов на основе пленок Cd_xPb_1- ,5 различного состава с размером чувствительного элемента 0,48x0,48 мм. Показана стабильность их электрофизических характеристик во времени, устойчивость к сильным засветкам, нагреванию (верхняя температурная граница использования пленок 405-410 К) и ионизирующему излучению.

термическая устойчивость, радиационная устойчивость, тонкие пленки, твердый раствор Cd_xPb₁, _XS, ИК-детекторы, фоточувствительность , thermal stability, radiation stability, thin film, solid solution Cd_xPb_1-xS, IR-detectors, photosensitivity

1. Горбунов Н. И., Медведев Ф. К., Дийков Л. К., Варфоломеев С. П. Датчики для систем обеспечения пожаро- и взрывобезопасности // Датчики и системы. - 2004. - №6. - С. 5-7.

2. ГОСТ Р 53325-2012. Техника пожарная. Технические средства пожарной автоматики. Общиетех-нические требования и методы испытаний. - Введ. 01.01.2014. - М.: Изд-во стандартов, 2014.

3. Шелимова Л. Е., Томашик В. Н., Грицыв В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). - М. : Наука, 1991. - 256 с.

4. Урусов В. С., Таусон В. Л., Акимов В. В. Геохимия твердого тела. - М. : ГЕОС, 1997. - 500 с.

5. Rabinovich E., Wachtel E., Hodes G. Chemical bath deposition of single-phase (Pb, Cd)S solid solutions // Thin Solid Films.- 2008.- Vol. 517, No. 2. -P. 737-744.DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.162.

6. O. Portillo Moreno, M. Chavez Portillo, M. Moreno Flores, J. Martinez Juarez, G. Abarca Avila, R. Lozada Morales, O.Zelaya Angel. Properties of chemical bath deposited PbS thin films doped with Cd2+ // Journal of Materials Science and Engineering. A1. - 2011. - P. 759-767.

7. HamidS. AL-Jumaili. Structural and optical properties of nanocrystalline Pb1-xCdxS thin films prepared by chemical bath deposition // Applied Physics Research.-2012.-Vol. 4,No. 3. - P. 75-83.DOI: 10.5539/apr.v4n3p75.

8. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Прогнозирование состава твердых растворов CdxPb1-xS при химическом осаждении из водных растворов // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, № 12. - С. 792-795.

9. Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Иванов П. Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент. - Екатеринбург : УрО РАН, 2006. - 218 с.

10. Маскаева Л. Н., Марков В. Ф., Гусев А. И. Влияние солей кадмия на состав и свойства гидрохимически осажденных пленок твердых растворов CdxPb1-xS // Журнал неорганической химии. - 2004. - Т. 49, № 7. - С. 1065-1071.

11. Роках А. Г., Стецюра С. В., Сердобинцев А. А. Гетерофазные полупроводники под действием излучений // Известия Саратовского университета. Новая серия. Cерия: физика. - 2005. - Т. 5, вып. 1. -С. 92-102.

12. Маляр И. В., Стецюра С. В. Влияние морфологии и состава фаз поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS-PbS // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7.- С. 916-921.

13. Капица С. П., Мелехин В. Н. Микротрон. - М. : Наука, 1969. - 211 с.