<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">firesmi</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Пожаровзрывобезопасность/Fire and Explosion Safety</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Pozharovzryvobezopasnost/Fire and Explosion Safety</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0869-7493</issn><issn pub-type="epub">2587-6201</issn><publisher><publisher-name>ФГБОУ ВО «Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет»</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.18322/PVB.2015.24.09.67-73</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">firesmi-464</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ПОЖАРНАЯ АВТОМАТИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>FIRE AUTOMATIC</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ТЕРМИЧЕСКАЯ И РАДИАЦИОННАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ИК-ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ CdxPb1_xS</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>THERMAL AND RADIATION STABILITY IR-DETECTORS BASED ON FILMS OF SOLID SOLUTIONS CdxPbi_xS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Маскаева</surname><given-names>Л. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Maskaeva</surname><given-names>L. N.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">mln@ural.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Марков</surname><given-names>В. Ф.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Markov</surname><given-names>V. F.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">v.f.markov@urfu.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Порхачев</surname><given-names>М. Ю.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Porkhachev</surname><given-names>M. Yu</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">ekamike@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Мокроусова</surname><given-names>О. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Mokrousova</surname><given-names>O. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">olgamokrousova@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Уральский институт ГПС МЧС России; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Ural State Fire Service Institute of Emercom of Russia; Ural Federal University named after the first President of Russia Boris Yeltsin</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Уральский институт ГПС МЧС России</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Ural State Fire Service Institute of Emercom of Russia</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2015</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>15</day><month>05</month><year>2018</year></pub-date><volume>24</volume><issue>9</issue><fpage>67</fpage><lpage>73</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Маскаева Л.Н., Марков В.Ф., Порхачев М.Ю., Мокроусова О.А., 2018</copyright-statement><copyright-year>2018</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Маскаева Л.Н., Марков В.Ф., Порхачев М.Ю., Мокроусова О.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Maskaeva L.N., Markov V.F., Porkhachev M.Y., Mokrousova O.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.fire-smi.ru/jour/article/view/464">https://www.fire-smi.ru/jour/article/view/464</self-uri><abstract><p>Изучены термическая и радиационная устойчивость ИК-детекторов на основе фоточувствительных пленок твердых растворов в системе PbS-CdS, полученных химическим осаждением на си-талловую подложку. Установлено, что синтез материалов на основе соединений PbS и CdS в форме твердых растворов замещения позволяет варьировать спектральную характеристику в широкой области спектра за счет изменения состава и получать достаточно богатые по замещающему компоненту составы. Из спектральных характеристик пленок CdxPb1- £ видно, что при увеличении содержания CdS в твердом растворе до 17 мол. % "красная" граница фотоответа сдвигается в коротковолновую область менее чем на 1,6 мкм, а максимум фоточувствительности - с 2,5 до 1,2 мкм. Приведены фотоэлектрические параметры разработанных фотодетекторов на основе пленок CdxPb1- ,5 различного состава с размером чувствительного элемента 0,48x0,48 мм. Показана стабильность их электрофизических характеристик во времени, устойчивость к сильным засветкам, нагреванию (верхняя температурная граница использования пленок 405-410 К) и ионизирующему излучению.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>It is studied the thermal and radiation stability of the IR-detectors based on photosensitive films of solid solutions in PbS-CdS system obtained by chemical vapor deposition on a pyroceramics substrate. It is shown that the films exhibit a high stability in the composition and photoelectric properties when heated to 405-410 K at normal conditions and under the influence of irradiation y-radiation ~300 P/min with a set of the total dose up to 107 R. At increase of the CdS content in solid solution to the 17 mol. % "red" limit of the photoanswer moves in short-wave area to 1.6 microns, and a maximum photosensitivity - from 2.5 to 1.2 microns. Frequency of change rate of resistance at a light flare depending on structure of a film is in an interval from 10-100. According to the frequency characteristics photoresistors on their basis are most effective at 298 K for frequencies of the radiation modulation of 0.25-6.0 kHz. At temperature decrease of a sensitive layer to 253 K time constant increases no more, than twice at increase in volts-watt sensitivity by 6-8 times. For a sensitive element of 0.48x0.48 mm2 on the basis of solid solution Cd0062Pb0938S the maximum value of detective ability at 300 K (^max, 1000 Hz) from a source like "A"made2.51011 cm/(W-Hz1/2).</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>термическая устойчивость</kwd><kwd>радиационная устойчивость</kwd><kwd>тонкие пленки</kwd><kwd>твердый раствор CdxPb1</kwd><kwd>XS</kwd><kwd>ИК-детекторы</kwd><kwd>фоточувствительность</kwd><kwd>thermal stability</kwd><kwd>radiation stability</kwd><kwd>thin film</kwd><kwd>solid solution CdxPb1-xS</kwd><kwd>IR-detectors</kwd><kwd>photosensitivity</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Горбунов Н. И., Медведев Ф. К., Дийков Л. К., Варфоломеев С. П. Датчики для систем обеспечения пожаро- и взрывобезопасности // Датчики и системы. - 2004. - №6. - С. 5-7.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Горбунов Н. И., Медведев Ф. К., Дийков Л. К., Варфоломеев С. П. Датчики для систем обеспечения пожаро- и взрывобезопасности // Датчики и системы. - 2004. - №6. - С. 5-7.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">ГОСТ Р 53325-2012. Техника пожарная. Технические средства пожарной автоматики. Общиетех-нические требования и методы испытаний. - Введ. 01.01.2014. - М.: Изд-во стандартов, 2014.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">ГОСТ Р 53325-2012. Техника пожарная. Технические средства пожарной автоматики. Общиетех-нические требования и методы испытаний. - Введ. 01.01.2014. - М.: Изд-во стандартов, 2014.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шелимова Л. Е., Томашик В. Н., Грицыв В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). - М. : Наука, 1991. - 256 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Шелимова Л. Е., Томашик В. Н., Грицыв В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). - М. : Наука, 1991. - 256 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Урусов В. С., Таусон В. Л., Акимов В. В. Геохимия твердого тела. - М. : ГЕОС, 1997. - 500 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Урусов В. С., Таусон В. Л., Акимов В. В. Геохимия твердого тела. - М. : ГЕОС, 1997. - 500 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Rabinovich E., Wachtel E., Hodes G. Chemical bath deposition of single-phase (Pb, Cd)S solid solutions // Thin Solid Films.- 2008.- Vol. 517, No. 2. -P. 737-744.DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.162.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rabinovich E., Wachtel E., Hodes G. Chemical bath deposition of single-phase (Pb, Cd)S solid solutions // Thin Solid Films.- 2008.- Vol. 517, No. 2. -P. 737-744.DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.162.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">O. Portillo Moreno, M. Chavez Portillo, M. Moreno Flores, J. Martinez Juarez, G. Abarca Avila, R. Lozada Morales, O.Zelaya Angel. Properties of chemical bath deposited PbS thin films doped with Cd2+ // Journal of Materials Science and Engineering. A1. - 2011. - P. 759-767.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">O. Portillo Moreno, M. Chavez Portillo, M. Moreno Flores, J. Martinez Juarez, G. Abarca Avila, R. Lozada Morales, O.Zelaya Angel. Properties of chemical bath deposited PbS thin films doped with Cd2+ // Journal of Materials Science and Engineering. A1. - 2011. - P. 759-767.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">HamidS. AL-Jumaili. Structural and optical properties of nanocrystalline Pb1-xCdxS thin films prepared by chemical bath deposition // Applied Physics Research.-2012.-Vol. 4,No. 3. - P. 75-83.DOI: 10.5539/apr.v4n3p75.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">HamidS. AL-Jumaili. Structural and optical properties of nanocrystalline Pb1-xCdxS thin films prepared by chemical bath deposition // Applied Physics Research.-2012.-Vol. 4,No. 3. - P. 75-83.DOI: 10.5539/apr.v4n3p75.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Прогнозирование состава твердых растворов CdxPb1-xS при химическом осаждении из водных растворов // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, № 12. - С. 792-795.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Прогнозирование состава твердых растворов CdxPb1-xS при химическом осаждении из водных растворов // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, № 12. - С. 792-795.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Иванов П. Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент. - Екатеринбург : УрО РАН, 2006. - 218 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Иванов П. Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент. - Екатеринбург : УрО РАН, 2006. - 218 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Маскаева Л. Н., Марков В. Ф., Гусев А. И. Влияние солей кадмия на состав и свойства гидрохимически осажденных пленок твердых растворов CdxPb1-xS // Журнал неорганической химии. - 2004. - Т. 49, № 7. - С. 1065-1071.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Маскаева Л. Н., Марков В. Ф., Гусев А. И. Влияние солей кадмия на состав и свойства гидрохимически осажденных пленок твердых растворов CdxPb1-xS // Журнал неорганической химии. - 2004. - Т. 49, № 7. - С. 1065-1071.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Роках А. Г., Стецюра С. В., Сердобинцев А. А. Гетерофазные полупроводники под действием излучений // Известия Саратовского университета. Новая серия. Cерия: физика. - 2005. - Т. 5, вып. 1. -С. 92-102.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Роках А. Г., Стецюра С. В., Сердобинцев А. А. Гетерофазные полупроводники под действием излучений // Известия Саратовского университета. Новая серия. Cерия: физика. - 2005. - Т. 5, вып. 1. -С. 92-102.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Маляр И. В., Стецюра С. В. Влияние морфологии и состава фаз поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS-PbS // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7.- С. 916-921.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Маляр И. В., Стецюра С. В. Влияние морфологии и состава фаз поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS-PbS // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7.- С. 916-921.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Капица С. П., Мелехин В. Н. Микротрон. - М. : Наука, 1969. - 211 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Капица С. П., Мелехин В. Н. Микротрон. - М. : Наука, 1969. - 211 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
